일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
|---|---|
| 기본 품번 | TK60E08 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 75 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A |
| 최대 전력 손실 | 128W |
기계적 특성
| 패키지 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-220-3 |