TK25S06N1L,LXHQ

Name: TK25S06N1L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 60V 25A DPAK

생산 중TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	36.8mOhm @ 12.5A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	855 pF @ 10 V
제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	U-MOSVIII-H
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA

드레인-소스 전압	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Ta)
최대 전력 손실	57W (Tc)

동작 온도	175°C