TK100L60W,VQ

Name: TK100L60W,VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 600V 100A TO3P

생산 중TO-3PL아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 50A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	15000 pF @ 30 V
제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
시리즈	DTMOSIV
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 5mA

드레인-소스 전압	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Ta)
최대 전력 손실	797W (Tc)

동작 온도	150°C (TJ)