SSM6P69NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P69NU,LF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN

생산 중6-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.5A, 10V
기본 품번SSM6P69
구성2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 1.8V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 10V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Power - Max1W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지6-µDFN (2x2)

환경 조건

동작 온도150°C