SSM6N58NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N58NU,LF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN

생산 중6-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs84mOhm @ 2A, 4.5V
기본 품번SSM6N58
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 1.8V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds129pF @ 15V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max1W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지6-UDFN (2x2)

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)