SSM6N48FU,RF(D

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF(D

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6

구형6-TSSOP, SC-88, SOT-363아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2Ohm @ 10mA, 4V
기본 품번SSM6N48
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15.1pF @ 3V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
Power - Max300mW

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급사 디바이스 패키지US6

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)