SSM6L09FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L09FUTE85LF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

단종6-TSSOP, SC-88, SOT-363아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 200MA, 10V
기본 품번SSM6L09
구성N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 5V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA, 200mA
Power - Max300mW

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급사 디바이스 패키지US6

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)