SSM6K804R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K804R,LF

데이터시트

아날로그 및 전원

N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0

생산 중6-SMD, Flat Leads아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1110 pF @ 20 V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
최대 전력 손실1.5W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도175°C
QualificationAEC-Q101