SSM6K516NU,LF

Name: SSM6K516NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB

생산 중6-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	46mOhm @ 4A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 15 V
제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+20V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA

드레인-소스 전압	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Ta)
최대 전력 손실	1.25W (Ta)

동작 온도	150°C