SSM6J511NU,LF

Name: SSM6J511NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB

생산 중6-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1mOhm @ 4A, 8V
기본 품번	SSM6J511
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3350 pF @ 6 V
제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	U-MOSVII
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA

드레인-소스 전압	12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14A (Ta)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)