SSM6J501NU,LF

Name: SSM6J501NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB

생산 중6-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.3mOhm @ 4A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2600 pF @ 10 V
제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	U-MOSVI
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA

드레인-소스 전압	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
최대 전력 손실	1W (Ta)

동작 온도	150°C(TJ)