SSM6J207FE,LF

Name: SSM6J207FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6

생산 중SOT-563, SOT-666아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	251mOhm @ 650mA, 10V
기본 품번	SSM6J207
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	137 pF @ 15 V
제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	U-MOSII
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA

드레인-소스 전압	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.4A (Ta)
최대 전력 손실	500mW (Ta)

동작 온도	150°C (TJ)