SSM6H19NU,LF

Name: SSM6H19NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

생산 중6-UDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	185mOhm @ 1A, 8V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	130 pF @ 10 V
제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	U-MOSVII-H
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA

드레인-소스 전압	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Ta)
최대 전력 손실	1W (Ta)

동작 온도	150°C (TJ)