SSM3K35MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K35MFV,L3F

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 20V 180MA VESM

생산 중SOT-723아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 50mA, 4V
기본 품번SSM3K35
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9.5 pF @ 3 V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180mA (Ta)
최대 전력 손실150mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-723
공급사 디바이스 패키지VESM

환경 조건

동작 온도150°C