SSM3K16FV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16FV,L3F

데이터시트

아날로그 및 전원

PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR

생산 중SOT-723아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 10mA, 4V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9.3 pF @ 3 V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
최대 전력 손실150mW (Ta)

기계적 특성

Package / CaseSOT-723
공급사 디바이스 패키지VESM

환경 조건

동작 온도150°C