SSM3K116TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K116TU,LF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM

생산 중3-SMD, Flat Leads아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 500mA, 4.5V
기본 품번SSM3K116
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds245 pF @ 10 V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈U-MOSIII
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta)
최대 전력 손실500mW (Ta)

기계적 특성

Package / Case3-SMD, Flat Leads
공급사 디바이스 패키지UFM

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)