가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 1.6A, 4V |
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| 기본 품번 | SSM3K01 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 152 pF @ 10 V |
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 시리즈 | π-MOSVI |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| 드레인-소스 전압 | 30 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| 최대 전력 손실 | 1.25W (Ta) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
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| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급사 디바이스 패키지 | TSM |
| 동작 온도 | 150°C(TJ) |
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