일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 50mA, 4V |
|---|---|
| 기본 품번 | SSM3J35 |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12.2 pF @ 3 V |
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 20 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| 최대 전력 손실 | 150mW (Ta) |
기계적 특성
| 패키지 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-723 |
| 공급사 디바이스 패키지 | VESM |
환경 조건
| 동작 온도 | 150°C (TJ) |
|---|