SSM3J35CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J35CTC,L3F

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C

생산 중SC-101, SOT-883아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
기본 품번SSM3J35
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds42 pF @ 10 V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈U-MOSVII
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA (Ta)
최대 전력 손실500mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-101, SOT-883
공급사 디바이스 패키지CST3C

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)