가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.75mOhm @ 6A, 4.5V |
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| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4 V |
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1.11mA |
| 드레인-소스 전압 | 12 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta) |
| 최대 전력 손실 | 800mW (Ta) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
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| Package / Case | 10-SMD, No Lead |
| 공급사 디바이스 패키지 | TCSPAC-153001 |
| 동작 온도 | 150°C |
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