일반
| 기본 품번 | MT3S113 |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.3V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Power - Max | 800mW |
| Frequency - Transition | 12.5GHz |
| Gain | 11.8dB |
기계적 특성
| 패키지 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급사 디바이스 패키지 | S-Mini |
환경 조건
| 동작 온도 | 150°C (TJ) |
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