일반
| 기본 품번 | HN4C06 |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Not For New Designs |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) Common Emitter |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Power - Max | 300mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
기계적 특성
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | SC-74A, SOT-753 |
| 공급사 디바이스 패키지 | SMV |
환경 조건
| 동작 온도 | 150°C (TJ) |
|---|