일반
| 기본 품번 | HN1C03 |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| 포장 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 3mA, 30mA |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 4mA, 2V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 30MHz |
기계적 특성
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | US6 |
환경 조건
| 동작 온도 | 150°C (TJ) |
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