일반
| 기본 품번 | HN1B01 |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 120MHz, 150MHz |
기계적 특성
| 패키지 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급사 디바이스 패키지 | US6 |
환경 조건
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Qualification | AEC-Q101 |