일반
| 기본 품번 | GT60N321 |
|---|---|
| 입력 유형 | Standard |
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.5 µs |
| Td (on/off) @ 25°C | 330ns/700ns |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Power - Max | 170 W |
기계적 특성
| 패키지 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3PL |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-3P(LH) |
환경 조건
| 동작 온도 | 150°C (TJ) |
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