GT50JR22(STA1,E,S)

Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

아날로그 및 전원

PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

생산 중TO-3P-3, SC-65-3아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

입력 유형	Standard
제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식	Through Hole
포장	Tube
제품 상태	생산 중
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 50A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Current - Collector (Ic) (Max)	50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)	100 A
Power - Max	230 W

Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
공급사 디바이스 패키지	TO-3P(N)

동작 온도	175°C (TJ)