GT30N135SRA,S1E

Toshiba Semiconductor and Storage

GT30N135SRA,S1E

데이터시트

아날로그 및 전원

D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Gate Charge270 nC
입력 유형Standard
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
Switching Energy-, 1.3mJ (off)
Test Condition300V, 60A, 39Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 60A

전기적 특성

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1350 V
Current - Collector (Ic) (Max)60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max348 W

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-247-3
공급사 디바이스 패키지TO-247

환경 조건

동작 온도175°C (TJ)