GT30J121(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

GT30J121(Q)

데이터시트

아날로그 및 전원

IGBT 600V 30A 170W TO3PN

생산 중TO-3P-3, SC-65-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번GT30J121
입력 유형Standard
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
Switching Energy1mJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C90ns/300ns
Test Condition300V, 30A, 24Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 30A

전기적 특성

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)60 A
Power - Max170 W

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
공급사 디바이스 패키지TO-3P(N)