GT15J341,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

GT15J341,S4X

데이터시트

아날로그 및 전원

PB-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO

생산 중TO-220-3 Full Pack아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

입력 유형Standard
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)80 ns
Switching Energy300µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C60ns/170ns
Test Condition300V, 15A, 33Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 15A

전기적 특성

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)60 A
Power - Max30 W

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
공급사 디바이스 패키지TO-220SIS

환경 조건

동작 온도150°C(TJ)