2SK3700(F)

Name: 2SK3700(F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 900V 5A TO3P

생산 중TO-3P-3, SC-65-3아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5Ohm @ 3A, 10V
기본 품번	2SK3700
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1150 pF @ 25 V
제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA

드레인-소스 전압	900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Ta)
최대 전력 손실	150W (Tc)

동작 온도	150°C(TJ)