2SK2845(TE16L1,Q)

Name: 2SK2845(TE16L1,Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 900V 1A DP

구형TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	9Ohm @ 500mA, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 25 V
제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Obsolete
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA

드레인-소스 전압	900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Ta)
최대 전력 손실	40W (Tc)

동작 온도	150°C (TJ)