2SJ610(TE16L1,NQ)

Name: 2SJ610(TE16L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD

구형TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.55Ohm @ 1A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	381 pF @ 10 V
제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Obsolete
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA

드레인-소스 전압	250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Ta)
최대 전력 손실	20W (Ta)

동작 온도	150°C (TJ)