일반
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 100mA, 800mA |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 375 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
| Power - Max | 1.1 W |
기계적 특성
| 패키지 | Box |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| 공급사 디바이스 패키지 | PW-MOLD2 |
환경 조건
| 동작 온도 | 150°C (TJ) |
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