일반
| 기본 품번 | 2SB1457 |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 900 mW |
| Frequency - Transition | 50MHz |
기계적 특성
| 패키지 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-92MOD |
환경 조건
| 동작 온도 | 150°C (TJ) |
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