1SS307E,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

데이터시트

아날로그 및 전원

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

생산 중SC-79, SOD-523아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번1SS307
Capacitance @ Vr, F6pF @ 0V, 1MHz
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술Standard

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 100 mA
Current - Average Rectified (Io)100mA
Current - Reverse Leakage @ Vr10 nA @ 80 V
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-79, SOD-523
공급사 디바이스 패키지SC-79

환경 조건

Operating Temperature - Junction150°C (Max)