가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
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| 기본 품번 | TPS1100 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45 nC @ 10 V |
| 제조사 | Texas Instruments |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +2V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 드레인-소스 전압 | 15 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| 최대 전력 손실 | 791mW (Ta) |
| 패키지 | Tube |
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| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급사 디바이스 패키지 | 8-SOIC |
| 동작 온도 | -40°C~150°C(TJ) |
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