CSD88599Q5DC

Texas Instruments

CSD88599Q5DC

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP

생산 중22-PowerTFDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 30A, 10V
기본 품번CSD88599Q5
구성2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4840pF @ 30V
제조사Texas Instruments
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈NexFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60V
Power - Max12W

기계적 특성

Package / Case22-PowerTFDFN
공급사 디바이스 패키지22-VSON-CLIP (5x6)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)