CSD87312Q3E

Texas Instruments

CSD87312Q3E

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 7A , 8V
기본 품번CSD87312Q3
구성2 N-Channel (Dual) Common Source
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250pF @ 15V
제조사Texas Instruments
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈NexFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A
Power - Max2.5W

기계적 특성

Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지8-VSON (3.3x3.3)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)