CSD86360Q5D

Texas Instruments

CSD86360Q5D

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON

생산 중8-PowerLDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번CSD86360Q5
구성2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2060pF @ 12.5
제조사Texas Instruments
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈NexFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A
Power - Max13W

기계적 특성

Package / Case8-PowerLDFN
공급사 디바이스 패키지8-LSON (5x6)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)