CSD86350Q5DT

Texas Instruments

CSD86350Q5DT

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON

생산 중8-PowerLDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V
기본 품번CSD86350
구성2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V
제조사Texas Instruments
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta)
Power - Max13W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerLDFN
공급사 디바이스 패키지8-LSON (5x6)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)