CSD25501F3

Texas Instruments

CSD25501F3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA

생산 중3-XFLGA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs76mOhm @ 400mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds385 pF @ 10 V
제조사Texas Instruments
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈FemtoFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.05V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta)
최대 전력 손실500mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case3-XFLGA
공급사 디바이스 패키지3-LGA (0.73x0.64)

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)