CSD25485F5

Texas Instruments

CSD25485F5

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR

생산 중3-XFDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 900mA, 8V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds533 pF @ 10 V
제조사Texas Instruments
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈FemtoFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A (Ta)
최대 전력 손실500mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
공급사 디바이스 패키지3-PICOSTAR

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)