CSD25201W15

Texas Instruments

CSD25201W15

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

구형9-UFBGA, DSBGA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510 pF @ 10 V
제조사Texas Instruments
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈NexFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-6V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
최대 전력 손실1.5W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case9-UFBGA, DSBGA
공급사 디바이스 패키지9-DSBGA

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)