CSD23382F4

Texas Instruments

CSD23382F4

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR

생산 중3-XFDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs76mOhm @ 500mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.35 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds235 pF @ 6 V
제조사Texas Instruments
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈FemtoFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
최대 전력 손실500mW (Ta)

기계적 특성

Package / Case3-XFDFN
공급사 디바이스 패키지3-PICOSTAR

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)