CSD19538Q2

Name: CSD19538Q2
Brand: Texas Instruments

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON

생산 중6-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	59mOhm @ 5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	454 pF @ 50 V
제조사	Texas Instruments
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	NexFET™
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA

드레인-소스 전압	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14.4A (Ta)
최대 전력 손실	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)