CSD18543Q3AT

Texas Instruments

CSD18543Q3AT

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs15.6mOhm @ 12A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1150 pF @ 30 V
제조사Texas Instruments
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈NexFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 60A (Tc)
최대 전력 손실66W (Tc)

기계적 특성

Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지8-VSONP (3x3.3)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)