CSD17575Q3

Texas Instruments

CSD17575Q3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4420 pF @ 15 V
제조사Texas Instruments
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈NexFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Ta)
최대 전력 손실2.8W (Ta), 108W (Tc)

기계적 특성

Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)