CSD17313Q2

Name: CSD17313Q2
Brand: Texas Instruments

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

생산 중6-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 4A, 8V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	340 pF @ 15 V
제조사	Texas Instruments
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	NexFET™
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+10V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA

드레인-소스 전압	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Tc)
최대 전력 손실	2.3W (Ta)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)