CSD16409Q3

Texas Instruments

CSD16409Q3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 17A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 12.5 V
제조사Texas Instruments
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈NexFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 60A (Tc)
최대 전력 손실2.6W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지8-VSONP (5x6)

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)