CSD13302WT

Name: CSD13302WT
Brand: Texas Instruments

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

생산 중4-UFBGA, DSBGA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.1mOhm @ 1A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	862 pF @ 6 V
제조사	Texas Instruments
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	NexFET™
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA

드레인-소스 전압	12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.6A (Ta)
최대 전력 손실	1.8W (Ta)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)